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怎么理解多晶与单晶电池板的高低速度
2018-11-07 09:57
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大家好，太阳能发电也叫光伏发电，现在的普及率相对比15年以前，真的是高太多了!就拿15年以前动辄几十块钱一瓦的成本，让中国一般的家庭和企业直呼用不起~~ 但是随着国家发改委开启了度电补贴后，光伏成本骤降，也让中国的光伏市场开启了井喷式的成长。同时光伏发电也发展成为：大规模的集中式地面电站、小规模的分布式电站以及更小规模的户用分布式电站。我们最为熟知的当然是户用分布式电站啦。当然在这里很多没有安装的家庭也开始蠢蠢欲动！但是面临品种繁多的电池板品牌以及不同类型的电池板，我们应该如何选择呢？下面小编来给你们进行科普：
首先我们先了解，目前市场上主流应用的电池板分为：1、单晶太阳能电池板。 2、多晶太阳能电池板。 3、薄膜太阳能电池板。他们三者的区别在于：
1.单晶硅
单晶硅太阳能电池的光电转换效率为18%左右，最高的达到24%，这是所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命可达25年。（如下图，单晶硅的电池板中的电池片四角是圆滑的！有弧度的。）
图片摘自网络
2.多晶硅
多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约16%左右。 从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。（如下图，多晶的电池片是没有圆角的。和单晶的很好区分）
图片摘自网络
3.非晶硅
非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，国际先进水平为10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。（如下图，从外观上能很好的单、多晶区分）
图片摘自网络
看完了介绍，我们再来看看组成部分：1、钢化玻璃，2、 EVA 3、电池片 4、EVA 5、背板 6、铝合金保护层压件 7、接线盒 8、硅胶。具体这些部件的作用是什么，让我们另外单独讲。
一、单晶太阳能电池板
单晶电池板组成部件是一样的，只是它的电池片是单晶硅制作而成。(Q:单晶硅是什么？A:硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。) , 单晶硅的优势在于转换率比多晶硅高，在相同的面积下，能发更多电！降低了土地租金和支架成本。且在性能上（衰减等等）略优秀与多晶硅，但是在制造成本上，要高于多晶硅。所以单晶电池板的价格要高于多晶硅电池板！
二、多晶太阳能电池板
多晶电池板的组成构造和单晶的是完全一样的，只是其电池片是多晶硅制造的。在多晶电池板推出后，因为其价格低廉，且性能与单晶差距不是很大！市场一直很受欢迎。而且因为近几年技术的不断革新，多晶硅电池板在性能上以及转换率上与多晶差距已经不是很大，几乎可以忽略不计。但是在价格上却相差很大（531新政以前单 多晶的价格能相差几毛钱一瓦）。所以多晶硅比较受市场欢迎。（但是在531新政以后，由于单晶电池板价格过高，收益过差，所以单晶电池板降价幅度比较大。截止11月单多晶的电池板价格相差不是很大。）
三、薄膜电池板
薄膜电池板相对硅晶体的电池板其价格还是偏高。且转换率没有优势，但是其在弱光效果和阳光遮挡上的影响比单、多晶的电池板要出色！比较适合因为地理位置较差，常年有阴影遮挡的地区使用。
好了，总结到这里，大家应该有了一个直观的印象。小编在这里呢再进行一个大的汇总：
对电池板的类型没有要求，那么单、多晶选择价格更合适的！
场地有限，希望安装更多容量的，选择单晶！
采光不好，常年有阴影遮挡的，不刻意追求投资效益的，选择薄膜！
希望以上内容能对你有所帮助！
谁能给我一份关于太阳能电池（多晶硅）这方面的资料。
多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池兼具单晶硅电池的高转换效率和长寿命以及非晶硅薄膜电池的材料制备工艺相对简化等优点的新一代电池，其转换效率一般为12%左右，稍低于单晶硅太阳电池，没有明显效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池。目录简介 发展原因 光吸收方法 金属化方法 PN结形成方法 表面和体钝化技术 工业化电池工艺 相关报道编辑本段简介多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12％左右(2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界最 多晶硅太阳能电池高效率多晶硅太阳能电池)。从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。 多晶硅太阳能电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳能电池生产总成本中己超二分之一。加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳能电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳能电池的研制。 编辑本段发展原因重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级 多晶硅太阳能电池；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。 编辑本段光吸收方法关于光的吸收 对于光吸收主要是： （1）降低表面反射； （2）改变光在电池体内的路径； （3）采用背面反射。 对于单晶硅，应用各向异性化学腐蚀的方法可在（100）表面制作金字塔状的绒面结构，降低表面光反射。但多晶硅晶向偏离（100）面，采用上面的方法无法作出均匀的绒面，目前采用下 多晶硅太阳能电池列方法: [1]激光刻槽 用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构，在500～900nm光谱范围内，反射率为4～6％，与表面制作双层减反射膜相当。而在（100）面单晶硅化学制作绒面的反射率为11％。用激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层（ZnS/MgF2）电池的短路电流要提高4％左右，这主要是长波光（波长大于800nm）斜射进入电池的原因。激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中，表面造成损伤同时引入一些杂质，要通过化学处理去除表面损伤层。该方法所作的太阳电池通常短路电流较高，但开路电压不太高，主要原因是电池表面积增加，引起复合电流提高。 [2]化学刻槽 应用掩膜（Si3N4或SiO2）各向同性腐蚀，腐蚀液可为酸性腐蚀液，也可为浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液，该方法无法形成各向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。据报道，该方法所形成的绒面对700～1030微米光谱范围有明显的减反射作用。但掩膜层一般要在较高的温度下形成，引起多晶硅材料性能下降，特别对质量较低的多晶材料，少子寿命缩短。应用该工艺在225cm2的多晶硅上所作电池的转换效率达到16.4%。掩膜层也可用丝网印刷的方法形成。 [3]反应离子腐蚀（RIE） 该方法为一种无掩膜腐蚀工艺，所形成的绒面反射率特别低，在450～1000微米光谱范 多晶硅太阳能电池围的反射率可小于2％。仅从光学的角度来看，是一种理想的方法，但存在的问题是硅表面损伤严重，电池的开路电压和填充因子出现下降。 [4]制作减反射膜层 对于高效太阳电池，最常用和最有效的方法是蒸镀ZnS/MgF2双层减反射膜，其最佳厚度取决于下面氧化层的厚度和电池表面的特征，例如，表面是光滑面还是绒面，减反射工艺也有蒸镀Ta2O5, PECVD沉积 Si3N3等。ZnO导电膜也可作为减反材料。 编辑本段金属化方法金属化技术 在高效电池的制作中，金属化电极必须与电池的设计参数，如表面掺杂浓度、PN结深，金属材料相匹配。实验室电池一般面积比较小（面积小于4cm2），所以需要细金属栅线（小于10微米），一般采用的方法为光刻、电子束蒸发、电子镀。工业化大生产中也使用电镀工艺，但蒸发和光刻结合使用时，不属于低成本工艺技术。 [1]电子束蒸发和电镀 通常，应用正胶剥离工艺，蒸镀Ti/Pa/Ag多层金属电极，要减小金属电极所引起的串联电阻，往往需要金属层比较厚（8～10微米）。缺点是电子束蒸发造成硅表面/钝化层介面损伤，使表面复 多晶硅太阳能电池合提高，因此，工艺中，采用短时蒸发Ti/Pa层，在蒸发银层的工艺。另一个问题是金属与硅接触面较大时，必将导致少子复合速度提高。工艺中，采用了隧道结接触的方法，在硅和金属成间形成一个较薄的氧化层（一般厚度为20微米左右）应用功函数较低的金属(如钛等)可在硅表面感应一个稳定的电子积累层(也可引入固定正电荷加深反型)。另外一种方法是在钝化层上开出小窗口（小于2微米），再淀积较宽的金属栅线（通常为10微米），形成mushroom—like状电极，用该方法在4cm2 Mc-Si上电池的转换效率达到17.3％。目前，在机械刻槽表面也运用了Shallow angle (oblique)技术。 编辑本段PN结形成方法[1]发射区形成和磷吸杂 对于高效太阳能电池，发射区的形成一般采用选择扩散，在金属电极下方形成重杂质区域而在电极间实现浅浓度扩散，发射区的浅浓度扩散即增强了电池对蓝光的响应，又使硅表面易于钝化。扩散的方法有两步扩散工艺、扩散加腐蚀工艺和掩埋扩散工艺。目前采用选择扩散，15×15cm2电池转换效率达到16.4%，n++、n+区域的表面方块电阻分别为20Ω和80Ω. 对于Mc—Si材料，扩磷吸杂对电池的影响得到广泛的研究，较长时间的磷吸杂过程（一般3～4小时），可使一些Mc—Si的少子扩散长度提高两个数量级。在对衬底浓度对吸杂效应的研究中发现，即便对高浓度的衬第材料，经吸杂也能够获得较大的少子扩散长度（大于200微米），电池的开路电压大于638mv, 转换效率超过17％。 [2]背表面场的形成及铝吸杂技术 多晶硅太阳能电池在Mc—Si电池中，背p+p结由均匀扩散铝或硼形成，硼源一般为BN、BBr、APCVD SiO2：B2O8等，铝扩散为蒸发或丝网印刷铝，800度下烧结所完成，对铝吸杂的作用也开展了大量的研究，与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc—Si产生不利的影响。到目前为至，区域背场已应用于单晶硅电池工艺中，但在多晶硅中，还是应用全铝背表面场结构。 [3]双面Mc—Si电池 Mc—Si双面电池其正面为常规结构，背面为N＋和P＋相互交叉的结构，这样，正面光照产生的但位于背面附近的光生少子可由背电极有效吸收。背电极作为对正面电极的有效补充，也作为一个独立的栽流子收集器对背面光照和散射光产生作用，据报道，在AM1.5条件下，转换效率超过19％。 编辑本段表面和体钝化技术对于Mc—Si，因存在较高的晶界、点缺陷（空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物）对材料表面和体内缺陷的钝化尤为重要，除前面提到的吸杂技术外，钝化工艺有多种方法，通过热氧化使硅悬挂键饱和是一种比较常用的方法，可使Si-SiO2界面的复合速度大大下降，其钝化效果取决于发射区的表面浓度、界面态密度和电子、空穴的浮获截面。在氢气氛中退火可使钝化效果更加明显。采用PECVD淀积氮化硅近期正面十分有效，因为在成膜的过程中具有加氢的效果。该工艺也可应用于规模化生产中。应用Remote PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。 编辑本段工业化电池工艺太阳电池从研究室走向工厂，实验研究走向规模化生产是其发展的道路，所以能够达到工业化生产的特征应该是： [1]电池的制作工艺能够满足流水线作业； [2]能够大规模、现代化生产； [3]达到高效、低成本。 当然，其主要目标是降低太阳电池的生产成本。目前多晶硅电池的主要发展方向朝着大面积、薄衬底。例如，市场上可见到125×125mm2、150×150mm2甚至更大规模的单片电池，厚度从原来的300微米减小到目前的250、200及200微米以下。效率得到大幅度的提高。日本京磁（Kyocera）公司150×150的电池小批量生产的光电转换效率达到17.1%，该公司1998年的生产量达到25.4MW。 （1）丝网印刷及其相关技术 多晶硅电池的规模化生产中广泛使用了丝网印刷工艺，该工艺可用于扩散源的印刷、正面金属电极、背接触电极，减反射膜层等，随着丝网材料的改善和工艺水平的提高，丝网印刷工艺在太阳电池的生产中将会得到更加普遍的应用。 a.发射区的形成 利用丝网印刷形成PN结，代替常规的管式炉扩散工艺。一般在多晶硅的正面印刷含磷的浆料、在反面印刷含铝的金属浆料。印刷完成后，扩散可在网带炉中完成（通常温度在900度），这样，印刷、烘干、扩散可形成连续性生产。丝网印刷扩散技术所形成的发射区通常表面浓度比较高，则表面光生载流子复合较大，为了克服这一缺点，工艺上采用了下面的选择发射区工艺技术，使电池的转换效率得到进一步的提高。 b.选择发射区工艺 在多晶硅电池的扩散工艺中，选择发射区技术分为局部腐蚀或两步扩散法。局部腐蚀为用干法（例如反应离子腐蚀）或化学腐蚀的方法，将金属电极之间区域的重扩散层腐蚀掉。最初，Solarex应用反应离子腐蚀的方法在同一台设备中，先用大反应功率腐蚀掉金属电极间的重掺杂层，再用小功率沉积一层氮化硅薄膜，该膜层发挥减反射和电池表面钝化的双重作用。在100cm2的多晶上作出转换效率超过13％的电池。在同样面积上，应用两部扩散法，未作机械绒面的情况下转换效率达到16％。 c.背表面场的形成 背PN结通常由丝网印刷A浆料并在网带炉中热退火后形成，该工艺在形成背表面结的同时，对多晶硅中的杂质具有良好的吸除作用，铝吸杂过程一般在高温区段完成，测量结果表明吸杂作用可使前道高温过程所造成的多晶硅少子寿命的下降得到恢复。良好的背表面场可明显地提高电池的开路电压。 d.丝网印刷金属电极 在规模化生产中，丝网印刷工艺与真空蒸发、金属电镀等工艺相比，更具有优势，在目前的工艺中，正面的印刷材料普遍选用含银的浆料，其主要原因是银具有良好的导电性、可焊性和在硅中的低扩散性能。经丝网印刷、退火所形成的金属层的导电性能取决于浆料的化学成份、玻璃体的含量、丝网的粗糟度、烧结条件和丝网版的厚度。八十年度初，丝网印刷具有一些缺陷，ⅰ)如栅线宽度较大，通常大于150微米；ⅱ)造成遮光较大，电池填充因子较低；ⅲ)不适合表面钝化，主要是表面扩散浓度较高，否则接触电阻较大。目前用先进的方法可丝网印出线宽达50微米的栅线，厚度超过15微米，方块电阻为2.5~4mΩ，该参数可满足高效电池的要求。有人在15×15平方厘米的Mc—Si上对丝网印刷电极和蒸发电极所作太阳电池进行了比较，各项参数几乎没有差距。 编辑本段相关报道太阳能电池模块实现高功率 除精密陶瓷外，京瓷还展示了已投入欧洲市场的大型高输出功率的多晶硅太阳能电池模块新产品。“该模块使用60块太阳能电池芯片，其优势在于每个模块的输出功率可提高到235W。与过去210W的模块相比，建造安装1MW的系统时，可减少使用约500块模块，这既能减少安装面积，还能节约施工费用。”吉川英里介绍说，“因而站，目前已被应用于日本北海道电力、东京电力、四国电力和九州电力等电力公司兆瓦级太阳能发电站。第二个应用是丰田汽车公司生产销售的游艇提供的选配项“丰田太阳能电池板”用太阳能电池模块。吉川英里介绍说，太阳能电池所产生的光电流会贮存在蓄电池里面，可充当船舶内冰箱、微波炉等各种船上电子设备所消耗的部分电力，有利于电子设备长时间的安全使用，其优势在于成本低、发电稳定、可长久使用。这也是京瓷为丰田混合动力车“普锐斯”提供太阳能电池模块表现优异的结果。第三个应用为住宅。吉川英里介绍，京瓷太阳能电池模块寿命可达30年，尺寸可按屋顶需求设计，1000W需大约花费60万日元，一个25平方米的房子平均需要4000W，太阳能电池模块可提供80%的能量。京瓷通过与电力公司合作，目前在日本住宅应用率已达到2%。[1] 对你有帮助记得采纳哦
亳州五金机电市场在哪里
您好，亳州五金机电市场位于安徽省亳州市谯城区经济开发区，是一个集五金机电产品经营、批发、零售、展销、招商、技术服务为一体的大型综合性市场。该市场拥有超过1000家商户，涵盖了五金机电产品的各个领域，包括家用电器、电子产品、汽车用品、工业设备、建筑材料、家具、家居用品等。市场内的商家均拥有良好的质量保证，价格实惠，提供优质的服务，深受消费者的青睐。
国内光伏发电市场概念股都有哪些？
. 光伏发电-太阳能电池
首先，太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式，而前者又分为单结晶形和多结晶形。其次，按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形，而化合物半导体薄膜形又分为非结晶形、ⅢV族、ⅡⅥ族和磷化锌等。其三，太阳能电池根据所用材料的不同，太阳能电池还可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。
1.1.单晶硅
1、兰花科创(600123)：
兰花科创称，重庆兰花太阳能电力股份有限公司建设的1000吨单晶硅项目，分两期建设，一期为500吨。兰花太阳能的主要产品是单晶硅片。该项目目前仍处于建设阶段，单晶硅棒生产车间设备安装已完成60%，并试生产出一小部分单晶硅棒，还未进入批量生产。单晶硅棒属于单晶硅片的中间产品。单晶硅片生产车间设备还未安装到位。
2、大港股份(002077)：
公司完成了对子公司大成硅科技剩余25％股权的收购工作，大成硅科技有限公司主要从事晶体硅太阳能电池硅切片、硅棒的生产、销售。2008年7月1日，大成硅科技、江苏辉伦和公司在江苏省镇江市就太阳能单晶硅片购销签订《购销合同》。大成硅科技向江苏辉伦提供符合约定技术标注的125mm×125mm太阳能单晶硅片，合同金额45333万元，供货时间为2008年第三季度开始到2009年第四季度结束。
3、中环股份(002129)：
公司从事半导体分立器件和单晶硅材料研发、生产和销售，主要产品为高压硅堆、硅桥式整流器、快恢复整流二极管、单晶硅及硅切磨片等，其中分立器件产品主要应用于电视机、显示器、微波炉等各类电器；单晶硅材料主要应用于半导体集成电路、半导体分立器件、太阳能电池等。公司与航天机电共同组建内蒙古中环光伏有限材料公司，共同打造内蒙古光伏产业基地项目。该项目分四期建设，目标是建成年产800-1000MW太阳能单晶硅锭、硅片的生产基地。
4、拓日新能(002218)：
国际上只有西门子、夏普、德国RWE等几个厂家能够同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池，公司是国内唯一一家，公司使用的生产设备自制化程度高达70％以上。打破国内太阳能电池产业“国外设备垄断、国外技术包干”的双垄断格局。
5、海通集团(600537)：
公司将采取资产置换以及发行股份购买资产的方式置入亿晶光电100％股权，进军光伏行业，亿晶光电也将成功借壳上市。据了解，亿晶光电已形成较为完善的光伏产业链，成为国内仅有的三家拥有垂直一体化产业链且产能在200MW以上的太阳能电池组件生产企业之一。重组后，海通集团的主业将从果蔬农产品加工和销售变更为单晶硅棒、单晶硅(多晶硅)片、太阳能电池片及太阳能电池组件的生产及销售。
6、有研硅股(600206)：
公司处在多晶硅产业链条的中间。大股东为北京有色金属研究总院，主营单晶硅、锗、化合物半导体材料的研究、开发和生产，其主导产品单晶硅为太阳能电池重要原材料。公司充分利用大直径单晶回收料，成功将其用于生产太阳能电池用单晶硅。
1.2.多晶硅
1、天威保变(600550)：
公司持股35.66%的四川新光硅业科技有限责任公司，年产多晶硅1260吨(权益产能449.316吨)。2007年12月，公司持股49%的乐电天威硅业公司，在乐山市新建3000吨/年多晶硅项目(权益产能1470吨)，尚在建设期。2007年12月，公司持股51%的天威四川硅业有限责任公司，在成都市新津新建3000吨/年多晶硅项目(权益产能1530吨)。
2、乐山电力(600644)：
公司持股51%的乐电天威硅业公司，在乐山市新建3000吨/年多晶硅项目(权益产能1530吨)，尚在建设期。乐山项目投资期预计为两年，第三年投产，第四年当年生产负荷达到设计能力的80%，第五年直至以后生产负荷为100%。乐山电力持股0.80%的四川新光硅业科技有限责任公司(权益产能10.08吨)。
3、南玻A(000012)：
公司持股92%的湖北宜昌多晶硅项目，一期工程投资建设年产1500吨高纯多晶硅生产基地(权益产能1380吨)，已于2008年12月底试生产成功，2009年投产。
4、国电电力(600795)：
公司持股49%的科环集团规划建设年产5000吨电子级多晶硅提纯项目，分二期建成，一期项目建设规模为年产2500吨电子级多晶硅(权益产能1225吨)，已于2008年10月28日开工，2010年6月机械竣工，2010年10月完成试车、性能考核后，正式投入商业运行。
5、特变电工(600089)：
公司持股75%的特变电工多晶硅有限公司，投资建设1500吨/年太阳能级多晶硅项目(权益产能1125吨)，截止2008年底工程已完成60%。
6、江苏阳光(600220)：
公司持股 65%的宁夏阳光硅业有限公司，一期年产 1500 吨多晶硅项目(权益产能975吨)已于 2008 年 12 月 23 日试生产成功，2009 年 3 月底将进行全面投产。
7、通威股份(600438)：
公司持股50%的四川永祥股份有限公司的全资子公司四川永祥多晶硅有限公司,1000吨多晶硅项目(权益产能500吨)两条生产线于2008年9月全部正式进入生产销售。
8、川投能源(600674)：
公司持股38.9%的四川新光硅业科技有限责任公司，年产多晶硅1260吨(权益产能490.14吨)。
9、岷江水电(600131)：
公司持股14%的天威硅业,投资建设新津3000吨/年多晶硅项目(权益产能420吨)，尚在建设期,项目预计建设期为2年，第5年达到其设计生产能力。
10、航天机电(600151)：
公司持股29.43%内蒙古神舟硅业有限责任公司，一期1500 吨/年多晶硅项目(权益产能441.45吨)进展顺利，已进行设备调试，2009 年多晶硅产能有望达到400 吨。
11、银星能源(000862)：
公司持股40%的宁夏银星多晶硅有限责任公司, 投资产能1000吨高纯硅(含200吨多晶硅)项目(多晶硅权益产能80吨)，公司不参与其经营。 2008年12月23日至24日，银星多晶硅公司年产1000吨高纯硅(含200吨多晶硅)项目竣工并通过初步验收。
12、拓日新能(002218)：
国际上只有西门子、夏普、德国RWE等几个厂家能够同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池，公司是国内唯一一家，公司使用的生产设备自制化程度高达70％以上。打破国内太阳能电池产业“国外设备垄断、国外技术包干”的双垄断格局。
13、鄂尔多斯(600295)：
公司的多晶硅生产工艺和技术都来源于世界最大的多晶硅生产厂商之一的德国瓦克公司，准备上马的两条1250吨生产线都是德方采用工艺总包的形式进行转让，由德方安装调试完成，公司成本优势和技术优势较强，投产时间欲明年上半年。从原料上来讲，多晶硅正处于公司铁合金产业链的下游，充足而低廉的原料使鄂尔多斯具有其他公司所无法比拟的优势
1.3.非晶硅薄膜
1、赣能股份(000899)：
由于公司所投资的非晶硅光电薄膜电池，与多晶硅电池相比更具成本优势。因为资料显示，中国太阳能光伏产品国内市场尚未启动的原因主要是光伏发电的成本很高，目前光伏电每度是5-6元，和普通电价格相比，相差十多倍，国内市场还不能承受。而非晶硅薄膜电池，使建设所需的主体材料和综合成本大为下降，项目建设成本和发电成本只有多晶硅电池的40％左右。
2、拓日新能(002218)：
同时具备晶硅和非晶硅业务，比例在1：3左右，是国内最大的非晶硅薄膜电池厂商。国际上只有西门子、夏普、德国RWE等几个厂家能够同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池，公司是国内唯一一家，公司使用的生产设备自制化程度高达70％以上。打破国内太阳能电池产业“国外设备垄断、国外技术包干”的双垄断格局。
3、天威保变(600550)：
仿效Q-Cels，积极进军非晶硅薄膜电池领域。在薄膜电池上，公司打算投资8亿元，形成46.5MWp非晶硅生产线，预计2009年底完全达产。公司作为太阳能板块的龙头企业，是国内唯一具备完整产业链结构的光伏企业。公司参股25.99%的天威英利主要生产硅太阳能电池。
4、安泰科技(000969)：
与德国公司合作，已试产成功，曾在奥运中投入使用。合资公司主要研发、生产和销售太阳能电池和组件。双方共同出资 8000万欧元。合资公司的注册资本为 5333万欧元，其中公司以现金和实物出资4000万欧元，占注册资本的75％；Odersun AG公司以完整的CIS电池、组件等技术出资作价1333万欧元，占注册资本的25%，设立合资公司将有利于安泰科技在中国开拓薄膜太阳能电池市场。
5、综艺股份(600770)：
与韩国周星公司合作，已开工建设，预计明年中期正式投产。据了解，国际上都在加大非晶薄膜太阳能产品的扶持力度。据权威机构测算，2008年非晶硅薄膜太阳能电池产量已经占到全球太阳能电池总量的12.5%，2015年将达到50％以上，未来几年的年均增长率将达到67％。
6、风帆股份(600482)：
2008年8月，公司与美国艾密欧公司合资成立保定风帆光伏能源公司，投建总额高达10500万元的非晶硅薄膜电池项目。公司注册资本为1000万美元，其中风帆股份有限公司出资750万美元，出资比例为75%，处于控股地位；若按非晶硅薄膜电池市场价格为20元/瓦测算，合资公司达产后可实现年销售收入10000万元。
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