光伏太阳能生产流程_太阳能热水器加工工艺流程是什么

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太阳能电池的制备流程是什么样的？

首先需要明确薄膜太阳能电池的范围，第一代太阳能电池是单晶和多晶硅电池，第二代太阳能电池采用了吸光系数大的材料，电池厚度不用太厚也足够吸收太阳光，因此称为薄膜太阳能电池。根据吸光材料的不同，常见的薄膜太阳能电池分类有：碲化镉（CdTe）、铜铟镓硒（CIGS）、染料敏化（DSSC）和有机聚合物（OPV）太阳能电池等。各个种类的电池目前还在研究降低成本的制备工艺，因此每类电池的制备方法也不是唯一的，下面选择一些有组件生产的技术做介绍：碲化镉（CdTe）太阳能电池

碲化镉太阳能电池的主要生产商是美国的First Solar公司。从玻璃开始SnO2CdSnO4是透明导电层（TCO）用溅射方法制备；CdS是缓冲层用化学浴沉积（CBD）；主要部分CdTe吸光层用近空间升华（close spaced sublimation-CSS）方法沉积的，也就是加热升华然后沉积到基板上；最后的碳电极是刷上去的。此外电池还需要经过一些热处理。铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池：采用铜铟镓硒太阳能电池技术代表性的公司有美国的Global Solar Energy，日本的Honda Soltec和昭和石油Showa Shell等等。从玻璃开始，Mo是磁控溅射的；CIGS是吸光层有几种制备工艺，常见的有a）共蒸发法（co-evaporation）就是把几种元素Cu、In、Ga、Se蒸发到基板上，德国公司和NREL用这种方法较多，b）油墨法，利用化学法制备CIGS的纳米晶然后分散在溶剂里像油墨一样印刷在基板上，美国的Nano Solar用的就是这个技术，c）金属硒化法，将铜铟镓金属溅射或电镀成金属膜，然后和Se蒸汽或H2Se反应，Honda soltec和昭和石油使用的是这一方法；接下来的CdS也是化学浴沉积（CBD）；ZnO和Ag都可以用溅射的方法制备。染料敏化太阳能电池（DSSC）：这种电池在实验室研究的很多，但由于稳定性和封装的问题组件生产的还不是很多，比较有代表性的公司是英国的G24i， 因为生产组件还比较少，具体的制备流程就不介绍了。有机聚合物太阳能电池（OPV）聚合物太阳能电池也是实验室研究的多，商业组件比较少的一类薄膜太阳能电池，有组件的公司好像有一个美国公司Konarka，有机太阳电池也有正向和反向（inverted）两种结构，上图就是反向的，这里面的每一层都可以用溶液印刷的方法来做，因此OPV是制备技术成本较低的，只需要像印刷报纸一样卷对卷（roll to roll）印刷就可以了。但是由于OPV效率较低，材料的稳定性差，封装材料昂贵，暂时还没有获得太大的市场份额。

太阳能热水器加工工艺流程是什么

生产太阳能电池板主要分两个车间，一是电池组件的生产，一是硅片的处理。在组件生产这一块没有什么轻松和赚钱的，除非你是做技术员，负责技术指导，普通员工的工资多数都是按件算的。

在硅片处理车间，应该是硅片检测那最轻松了，但工资不高。其实在太阳能电池板生产这行业，如果在车间工作基本上都是比较辛苦的，因为它二十四小时连续生产的，我在一个生产太阳能电池板的外企当技术员，两班倒，一天十二小时，很累，不过工资还行。

技术含量高的也就也就是镀膜那块。

洗硅、拉晶、切片这属于原料生产，太阳能电池板生产一般不做的。硅材料的生产也是很累的，对身体的危害也大，当然收入会高些。

光伏发电原理及工作过程

生产工艺流程为：型材切割—打孔—冲孔—铆角—组框—铜管清洗—排孔—乙炔氧焊—测压—超声波焊接—装板—打包

太阳能最主要的就是以上这些了还剩两项真空管和支架这个就不给你说了!真空管不需要你自己做的*威那套机器的成本太高现在有很多的大厂家是专门批发真空管和支架的价格也很合理!~主要的还是做筒子~!

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太阳能电池板是由什么构造的（详细） 以及原理 和大概制造过程

太阳能发电原理：

太阳能电池是利用半导体材料的光电效应，将太阳能转换成电能的装置。光生伏特效应的基本过程:假设光线照射在太阳能电池上并且光在界面层被接纳，具有足够能量的光子可以在P型硅和N型硅中将电子从共价键中激起，致使产生电子-空穴对。

界面层临近的电子和空穴在复合之前，将经由空间电荷的电场作用被相互分别。电子向带正电的N区而空穴向带负电的P区运动。经由界面层的电荷分别，将在P区和N区之间形成一个向外的可测试的电压。

此时可在硅片的两边加上电极并接入电压表。对晶体硅太阳能电池来说，开路电压的典型数值为0.5~0.6V。经由光照在界面层产生的电子-空穴对越多，电流越大。界面层接纳的光能越多，界面层即电池面积越大，在太阳能电池中形成的电流也越大。

2．硅太阳能电池的生产流程

通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。

上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。但研究发现，在非硅衬底上很难形成较大的晶粒，并且容易在晶粒间形成空隙。解决这一问题办法是先用 LPCVD在 衬底上沉积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上沉积厚的多晶硅薄膜，因此，再结晶技术无疑是很重要的一个环 节，目前采用的技术主要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除采用了再结晶工艺外，另外采用了几乎所有制备单晶硅太阳能电池的技术，这样制得的 太阳能电池转换效率明显提高。

计算器里的太阳能电池板的电压有2伏和4伏[12点中午测量的]