仙童igbt光伏逆变器_急急急！请问光伏逆变器的寿命多长？一般系统25年，逆变器能达到这个年限么？尤其是光伏并网逆变器！

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IGBT芯片也称为绝缘栅双极晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件 。它结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压，大电流和高速下均具有出色的性能，使其成为电力电子领域中的理想开关器件。 IGBT模块是一种模块化产品，由多个IGBT芯片和FRD（快速恢复二极管）芯片通过特定电路封装在一起组成。输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗低，开关速度快。工作频率高，部件容量大等特点。

就下游应用而言，新能源 汽车 市场占31％，成为最大的IGBT芯片应用市场。第二是家电领域，占27％。在工业控制领域排名第三，占20％。新能源发电占11％，其余占11％。下游工业控制和消费电子产品的逐步复苏有望推动IGBT芯片市场的逐步扩展 。 IGBT芯片是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心组件。新能源发电产业的快速发展将成为IGBT芯片产业的持续增长。随着新能源 汽车 市场的快速发展，IGBT芯片的需求和价值有望进一步增加，从而推动了IGBT芯片产业的增长。

目前， IGBT芯片的国产化已成为国家重点半导体器件的发展重点之一，IGBT芯片也被列为国家“ 02专项”的重点扶持项目，相关产业已进入阶段发展迅速。作为国内领先的IGBT芯片公司，斯达半导一直专注于IGBT芯片的独立研发。 该公司的IGBT芯片模块型号齐全。目前，它已经形成了涵盖工作电流5A-3600A和工作电压600V-3300V的产品布局。同时，该公司还具有提供MOSFET模块，IPM模块，整流器模块，晶闸管，碳化硅器件和其他产品的能力，从而形成了功率半导体的完整产品布局。先进的IGBT芯片设计，模块设计和制造工艺领先市场。

中高端IGBT芯片设计和制造中的技术创新和突破主要由国外制造商主导。在全球市场上，英飞凌，富士电机和IXYS等国际制造商涵盖了IGBT芯片产品的整个电压范围，而瑞萨，罗姆和意法半导体等制造商则专注于中低压产品。三菱，中国中车和斯达半导之类的制造商仅提供IGBT芯片模块产品。 随着公司产品技术水平逐步与国际水平接轨，公司在国内的替代优势越来越明显，主要体现在细分行业的领先优势，快速满足客户个性化需求的优势以及价格竞争的优势。 。该公司是IGBT芯片的领导者。随着IGBT芯片市场的快速扩展和国内替代产品的强劲趋势的帮助，企业有望凭借自身的竞争优势突围并扩大市场份额。公司在行业中的领先地位已得到牢固确立。 公司的 IGBT芯片模块的全球市场份额约为2.2％，在中国排名第一，在全球排名第八。

2020年前三季度，公司营业收入为6.68亿元，同比增长18.14％，归属于母公司股东的净利润1.34亿元，同比增长29.44％，其中第三季度，公司实现营业收入2.52亿元，同比增长26.39％，实现母公司实现净利润5300万元，同比增长36.24％。

急急急！请问光伏逆变器的寿命多长？一般系统25年，逆变器能达到这个年限么？尤其是光伏并网逆变器！

光伏逆变器市场有着市场容量大，增长速度快的特点。针对于不同的应用场景，逆变器的功率等级也是千差万别。在光伏逆变器大家族中，组串式逆变器由于其体积小、安装灵活、使用场景多样化，近年来整体出货量呈现出高速增长的趋势，并且单台组串逆变器的最大功率范围，也逐年提升。

图1是一个典型的光伏发电系统，逆变器的主要功能是将电池板波动的直流电转变为与电网电压同相同频的交流电。组串式光伏逆变器的功率单元从电路结构上可分为升压单元(DC/DC)和逆变单元(DC/AC)。升压单元用于实现电池板的最大功率跟踪(MPPT), 根据电池板的连接方式以及逆变器的功率等级，升压单元可以一路或者多路不等。逆变单元用于将直流电压转换为工频的并网电压，最后通过隔离变压器接入电网。

光伏逆变器宣布涨价，是什么原因导致涨价的？

并网逆变的设计指标一般要求和光伏电池同寿命（>17年，~20年左右），从技术上来说是完全可实现，只不过附加成本较高。

现在的光伏逆变器做的较好的，应该可以喝电池同寿命甚至更长，光伏逆变器，并网逆变器中“长寿命”的瓶颈是电容和IGBT(或功率器件)的寿命，电容几乎是所有电子器件中寿命最短的，受温升和电流文波等因素影响非常大，电解电容应用温度每降低一度，寿命可以增加一倍。但电解电容（几千，到几万小时寿命）几乎不可能应用到光伏行业，现在业内都在用金属薄膜电容，寿命非常长，耐高温，耐大电流纹波，单体电压可以上千伏，但是成本较高，业内的批量采购价是（0.7~1元）/uF, 再就是功率器件的设计余量需要大一点，降低功率周期，和热周期的影响因素。从技术完全可以做到你所谓的25年，只不过，国人没有那么多踏踏实实做工作的，都以盈利为目的，哎，，，，

希望对你有用。

光伏逆变器的核心组成模块有哪些？

因为近期芯片、IGBT产品出现极度紧缺状况，价格也随之走高。铜、铝等大宗原材料价格的不断攀升。为此，国内某逆变器公司决定上调部分分布式逆变器价格10-15%。

该消息一出舆论界又是一片哗然。逆变器一直处于价格下行通道，而此次出现持续上涨趋势主要原因是：

1、去年因为深受疫情以及各种因素的影响，导致多晶硅供需出现问题，价格持续上涨；光伏行业为此深受原材料的供应短缺；

2、半导体是光伏逆变器的不可缺少的部件，全球半导体的短缺给光伏带来巨大的挑战。

3、新型电力电子器件IGBT是逆变器的核心，也就是所谓的CPU。它的短缺对逆变器的种类和产量有着巨大的影响 。

4、产业链涨价带来逆变器的成本增加。整个光伏行业都要面临上涨压力。

5、光伏逆变器的涨价其实折射出我国在科学技术发展路上前进颇为曲折。

IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，主要是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成，因为它有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降这两项优点。在市场上非常多见。因为其异常严苛的生产条件，只有少数企业可以量产。我国需求量非常大，但是多依赖于进口。?

而全球占据IGBT器件领域约70%市场份额的五强公司分别是德国英飞凌、美国安森美、意法半导体、日本的三菱和东芝。他们是毫无疑问在该领域占据绝对控制地位。

虽然在国家大力支持下已有不少企业正在为IGBT能够实现国产化研发奋斗，我们都已经深刻意识到发展之路的困难，但是路漫漫其修远兮，吾辈将上下而求索。争取早日取得成绩。

主回路：升压，逆变。

升压：boost电感，支撑电容设计

逆变：功率器件（IGBT/MOSFET.....）驱动设计，软开关技术，散热及交流输出的滤波设计。

控制回路：逆变控制电路，及针对标准（金太阳，TUV，VDE......）的硬件保护电路设计。

人机界面。

如果你做算法可以参考PWM整流器及其控制这本书，不错。