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太阳能硅片怎么分刀切面
一、太阳能硅片的生产等级
1、A级（太阳能硅片生产的最高等级）；
2、A-1级（有轻微缺陷的）；
3、B级（能勉强使用的）；
4、C级（可以划片的）；
5、D级（和碎片没有区别）。
二、根据太阳能硅片的生产等级分刀切面
太阳能光伏电池硅片切割技术是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。硅片就是制造光伏电池的基板。
硅块被固定于切割台上，通常一次4 块。切割台垂通过运动的切割线切割网，使硅块被切割成硅片。线锯必须精确平衡和控制切割线直径、切割速度和总的切割面积，从而在硅片不破碎的情况下，取得一的硅片厚度，并缩短切割时间。
在硅片切割工艺中主要是单位时间内生产的硅片数量。取决于以下几个因素：
1) 切割线直径：更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。
2) 荷载：每次切割的总面积，等于硅片面积X 每次切割的硅块数量 X 每个硅块所切割成的硅片数量。
3) 切割速度：切割台通过切割线切割网的速度，取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。
4) 易于维护性：线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总的生产力就越高。
三、怎样挑选太阳能电池片硅片
1、外观：必须无裂纹，无硬伤，无孔洞，无崩边；
2、物理指标：物理指标包括晶向，晶向偏差，类型，厚度，边长，垂直度。用相应的测试仪器确定类型，晶向等；用相应测量仪器抽测5点厚度、公差，边长和对角线长及公差，垂直度等，最重要的是检查硅片厚度及厚度变化(TTV)，低于起生产最低厚度，碎片率就会提高。另外碳、氧含量对硅片品质来说非常重要，一定要进行抽测。
3、电学指标：主要是硅片少子使用寿命和电阻率，硅片的等级主要通过这两个指标确定。比如目前A级的单晶硅片少子寿命要求大于10μs，电阻率0-6Ω.cm。
四、太阳能电池片分选目的和注意事项
1、目的
使每个组件内各电池片功率在设计范围内。
2、注意事项
1）、严禁裸手接触电池片；
2）、作业时，电池片要轻取轻放；
3）、开机测试前应对标准片进行校准,测试不同规格电池片时要用不同规格的标准片进行校准；
4）、定时检查设备是否完好；
5）、测试时眼睛避免直视光源，以防伤害眼睛；
6）、在电池片拆包前先要检查外包装有无破损现象，如有则拍照记录并上报，若无破损可拆包检查电池片；
7）、每开一包要尽快用完，防止氧化。若无法用完，则要进行密封保存。
清洗车间怎样减少硅片崩边
各种硅片不良的解决方案
一。断线：如何让预防断线；断线后如何处理（MB。NTC HCT）把损失降低到最少
二。硅片崩边。线式崩边 点式崩边 倒角崩边
三。厚薄不均：一个角偏薄，厚薄不均
四。线痕：密集线痕 亮线线痕
五。花污片：脱胶造成的花污片 清洗造成的花污片
在太阳能光伏、OLED、LED、TFT、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等领域，东莞恒田水处理设备公司拥有多年的太阳能光伏、、OLED 、LED、LCD、光电光学行业、化工、电子、电镀、玻璃等行业脱盐水和超纯水设备的设计、安装、调试和售后服务的成功经验。接下来我将对以上五种关键不良做从5M1E6个方面做详细的分析 预防 善后 等具体是什么参数比如0.10钢线要求瞬间破断力多少？1200# 1500# 2000#碳化硅的颗粒圆形度 粒径大小要求 黏度张力要求多少等 大家去按照这个方向去找对策做计划（P），做好可量化的点检表（D），主管亲自抓班长去督导（C），总结检查的结果进行处理，成功的经验加以肯定并适当推广、标准化；失败的教训加以总结，以免重现，未解决的问题放到下一个PDCA循环（A）。
这个虽然写的是MB264的原因分析，但是从标准化管理角度来说，应该还是具有普遍意义的哦
断线善后处理首先做好断线记录（断线时间、机台号、部位、切深）留好线头
1.
查明断线原因及断线情况.
2.
及时上报，未经同意，不得私自处理。
3.
处理流程：1.在出线端断线,宽度不超过10毫米的直接拉线切割.
2.切深≦60mm中部或进线端断线，以30mm/min直接升起，迅速布线，8000流量砂浆冲洗，冲片时在线网上铺上无尘纸，
冲开粘在一起的片子后，迅速把晶棒降到距线网2mm处，然后
以10mm/min的进给认真仔细的“认刀”。3.中部或进线端断线，切深在50mm---80mm之间的，以10mm/min的速度升料到距进刀处30--40毫米,，停止。线速调到2m/s，以2%走线1cm，以调平线网，停止。打开砂浆8000流量均匀冲片子。把晶棒两侧的线网小心的剪掉（剪时要用手捏着）,留出3-4厘米的线头,另一端不剪.(进线端有线网的一定要保留该部分线网,以便重新布线.剪两侧线网时一定要用手或其他夹紧物,夹紧预留的线网头.)布线网,重新切割。4进线端或中部断线切深超过80mm的视情况能认刀的就认刀否则就反切或直接拉线正向切割。
4.进线端断线，第一次断线，切深在80mm.1换掉放线轮，用一个空的收线轮来代替。以低于原2N（左19和右21）的张力，切割线方向改为:右，其他参数不变,手动2m/s的线速走1m,不要开砂浆。2把晶棒提升至30---40mm处，重新对接焊线，焊线时要焊接均匀，焊接点的点径要和线径相同。经15N的线速走线300——400米，改张力为自动切割的张力，每秒1米，不开沙浆，走到出线端5米时，把张力改为15N，待线头在收线轮上绕2——3圈，改回原来的张力。把晶棒压到断线位置误差在0.05mm，打开砂浆。以1m/s速度的20%，走上1m，经班长确认无误后进行切割。
5.经上环节中必须处理好线网（其中包括，碎片、胶条、沙浆颗粒）在升晶棒前，把胶条去掉，上升速度为每分钟10mm,上升过程中如夹线，不可用手去摸，只能用手动轻微探摁一下，把线网走平。
6.认线前5m/s的速度走线100m，在不松开张力的情况下，停止走线，然后以10mm/min认刀，要一次性认进。
7.反向切割设置修改：进给降低1个百分点，线速降低1M/S，流量增加300KG/H。
8.线头编号方法:年+月+日+机台号+第几次断线数.例如:080501-20-01
9.请工序稽查人员按照此标准做巡检
崩边问题问题点：粘胶面崩边
异常现象：脱胶后，在方棒两头的硅片粘胶面呈现边沿发亮，
硅层呈线式脱落崩边, 及距粘胶面0.1mm处线式崩边。脱胶和清洗
时观察不到崩边，检验时能发现崩边。
原因分析：
一.开方进给不稳，外圆刀锯转速不稳，刀锯金刚砂层质量不好，造成刀痕过重，方棒表面刀纹不平，凹凸起伏，隐型损伤（指的是锯开方）线开方损伤可忽略
二.方棒温度低，胶在凝固时的高温反应热，破坏了粘胶面的硅层结构
三.硅片预冲洗水温低于XX度，脱胶水温低于XX度，胶层未完全软化时员工就用手把硅片用力作倒。
四.由于采用的是小槽距大线径，不可避免会在出刀时造成硅片向阻力小的一方的倾斜，方棒两头的硅片受到的阻力最
小，造成两个棒
子四个头部近32毫米长度内的硅片出现崩边。
五.粘接剂太硬（不便说出硬度系数），在钢线出硅棒粘胶面的瞬间，破坏了硅层。
预防措施：一.脱胶，经过控制脱胶的规范操作，即使前道工序已经对方棒表面产生不良影响，经过优化粘胶方式和手法，也要把损失降低到最低点。在目前的设备配置前提下，严格要求脱胶工“45~50 度温水，浸泡25分钟”
联系设备部，做硅片隔条，降低硅片倒伏时的倾度。
二.严格控制方棒超声池的水温在40度，超声到粘胶的时间间隔控制在2小时内，粘胶房的温度控制在25度，湿度不超过50%。
三.对开方机进行一次进给和转速校正，开方后的方棒经打磨后再滚圆。并请设备部做出设备三级维护计划书。做定期维护保养
四.“分线网”硅片切割：方棒两头各留出2mm不切割，减少切割过程中硅片向两侧“分叉”
另外一种办法：做一个可调试挡板系统，挡住
方棒两头，防止硅片“分叉”崩边。
五，采用线开方和磨面机，有条件的最好腐蚀一下。更换粘接力强但硬度适中的粘接剂善后处理：磨砂玻璃和1700#碳化硅 按一定的水分比例选择某种手势，力度，角度磨掉在边长要求范围内的崩边（标准作业指导书）
厚薄不均5m1e分析硅片厚薄不均预防措施一.TV偏大或偏小：根据客户要求片厚，计算出最佳成本/质量的槽距，钢线，碳化硅，砂浆密度。
二.TTV》15mm的硅片占比超过0.62%，属于异常。对于一次切割的单位，应增加导向条（部位不提供），两次切割的单位最好把导轮（主辊）槽距改一下或第二次切割时砂浆流量增大500公斤/小时（5l/min）或多更换20公斤砂浆。
三.硅片的进刀处的进线端（角）偏薄或偏厚，应修改进刀时的砂浆流量
四：同一个硅片的厚度呈大-小-大-小分布的，应调整切割工艺程序。进给，线速，流量应均匀同步变化。
五，跳线引起的某刀硅片厚度异常，同一个片
的厚度异常，不同片子的厚度偏差等，因通过加过滤网/过滤袋/振荡过滤器和切割前仔细过滤，没有跳线来消除
切割硅片的切割工作对人体有害吗
切割废屑主要是Si屑．
粗制硅片切割，就是将硅锭切割成硅片，目前基本采用线切割法，添加SiC切割液，Si和SiC本身均无毒,但一般硅锭中会掺杂P,B,As等元素以得到需要的硅片,因而切割废液,废屑等具一定毒性,但毒性极低,因为杂质含量是非常非常低的．
工艺制作完成的IC硅片（晶圆）的切割，或太阳能晶圆的切割，由于硅片切割道内有一些用Cu, Ti, Ni, Co等制作的图形，硅片本身也经过P,B,As等掺杂，所以切割废屑有一定的毒性，但有毒成份含量是ppm微量级的．另外，晶圆切割时，有可能添加切割液，所以必须看看切割液是否有毒（一般情况下是无毒的）．
需要做好劳动保护
怎样去除硅片上的胶？
胶片是橡胶，溶于有机溶剂，硅片主要是晶体硅，因此不溶，可用二硫化碳
