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单晶硅哪几个生产流程（或车间）对身体有伤害？铸锭有伤害吗？请详细点
1：生产流程是 ：晶棒切割-晶柱成型-R角表面处理-粗洗，干燥-等这些流程都是有设备完成的，而且也是主要流程。
还有剩下的流程就是 ：粘附固定-硅片插入盒里，硅片检测-硅片包装等等。不过这些剩下的流程在工厂里技术人员们都不带手套去完成。
2：铸锭做成硅片流程也和上述几乎差不多。不过铸锭不是单晶硅，是多晶硅。
3：我的公司和这方面有联系，所以本人也接触过不少关于这方面。
总结的话，我本人所在工厂里和公司里接触的经验认为对人体没有多大的伤害，
要是简单比喻就是我们在日常生活里在地面上接触的《石头》一样。这样认为就最简单了。平时自己怎么接触灰尘和石头的话，那就怎样接触单晶硅生产流程和铸锭它们就可以了。
补充的是前面朋友所说的：1.原料分选或者清洗车间的话,就要注意各种硅粉渣入口或吸入肺中,以及酸碱等危险品的腐蚀---2.工厂中工作都需要秉持严谨态度认真对待,按流程操作 ------注意这两点就可以了。
硅片制作的工艺流程
硅片的等级：
MG-Si → SeG-Si → SoG-Si
提炼要经过一下过程：
石英砂→冶金级硅→提炼和精炼→沉积多晶硅锭→单晶硅→硅片切割。
冶金级硅MG-Si
提炼硅的原始材料是SiO2，主要是砂成分，目前采用SiO2的结晶岩即石灰岩，在大型的电弧炉中用碳还原：SiO2+2C→Si+2CO
定期倒出炉，用氧气、氧氯混合气体提纯，然后倒入浅槽在槽中凝固，随后被捣成块状。
MG-Si提纯为SeG-Si
提炼标准方法为：西门子工。
MG-Si被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝被提纯。
工艺程序：用Hcl把细碎的MG-Si变成流体
使用催化剂加速反应进行：Si+3Hcl→SiHcl3+H2
MG-Si →SiHcl3 硅胶工业原材料
为提取MG-Si可加热混合气体使SiHcl3 被H2还原，硅以细晶粒的多晶硅形成沉积到电加热棒上如右：SiHcl3+H2 →Si+3Hcl
SeG-Si提纯到SoG-Si
将SeG-Si多晶硅熔融，同时加入器件所需的微量参杂剂，通常采用硼（P型参杂剂）。
在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够成熔融的硅中拉出大圆柱形的单晶硅棒。直径过125cm长度为1~2m。
手工录入，忘采纳，有追问亦可。
多晶硅生产流程是什么？
多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
1、石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO₂+C→Si+CO₂↑。
2、为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅（SiHCl₃）。其化学反应Si+HCl→SiHCl₃+H₂↑，反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄，Si）。
3、第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНСl₃，SiCl₄，而气态Н₂，НСl返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНСl₃，SiCl₄，净化三氯氢硅（多级精馏）。
4、净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H₂气氛中还原沉积而生成多晶硅。其化学反应SiHCl₃+H₂→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
剩余部分同Н₂，НСl，SiНСl₃，SiCl₄从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
用途
多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。
在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
硅片加工流程？
硅片的加工是将规定经表面整形定向切割研磨俯视。抛光清洗等工业加工成具有一定直径厚度。金相和高度表面平行度，平整度，光洁度表面无缺陷。无崩边，无损伤层，高度完整均匀光洁的镜面硅片
