本文总览：
- 1、请教：太阳能硅片的重量和功率之间的转换关系！
- 2、M10尺寸的硅片是多少瓦
- 3、一张硅片转换为多少瓦
- 4、为什么硅片产量用瓦做单位!硅片现在有几种规格，每种规格分别是多少瓦！
- 5、一片硅片能产生多少瓦电量
请教：太阳能硅片的重量和功率之间的转换关系！
以156*156,8寸多晶硅片核算：效率达到16%时候，硅片厚度为180，对应图上每瓦多晶硅耗用量为7g。
硅片厚度不变，重量不变的情况下：
156*156,8寸多晶硅片效率达到16%时候，单片功率为3.89W。
由此可推：硅片厚度为180，效率达到16%，单片多晶硅耗用量为3.89w*7g/w=27.23g.
硅片厚度为180，硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时单片功率为156*156*0.18/1000=4.38W
由此可推：硅片厚度为180，硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时，多晶硅片每瓦耗用多晶硅重量为27.23/4.38=6.2g
推算：
厚度180不变，重量不变的156单晶硅片，转换效率达到20%情况下，
单片功率为：156*156*0.2/1000=4.86W
单晶硅片的每瓦多晶硅耗用量为：27.23g/4.86W=5.6g/w
M10尺寸的硅片是多少瓦
大概是9.83瓦。
光伏硅片尺寸直接影响下游电池片和组件尺寸。当前光伏硅片有5种主流尺寸，分别为156.75mm、158.75mm、166mm、182mm、210mm。大尺寸硅片通过增大硅片面积，放大组件尺寸，从而摊薄各环节加工成本。从原理上来说，硅片尺寸越大越好，然而结合产业链配套情况，硅片尺寸又存在上限。对于大尺寸的选择，目前市场形成182和210两大阵营：182阵营包括隆基、晶科、晶澳、阿特斯、江苏中宇光伏、潞安太阳能等企业；210阵营包括中环、天合光能、通威、爱旭、爱康、东方日升等企业。
一张硅片转换为多少瓦
一般的多晶硅片尺寸156mm*156mm*180μm，做成普通电池后，功率4.5瓦
一般的单晶硅片尺寸156mm*156mm*180μm，做成普通电池后，功率4.8瓦
为什么硅片产量用瓦做单位!硅片现在有几种规格，每种规格分别是多少瓦！
包括单晶125*125 150对角线
单晶125*125 165对角线
单晶156*156 200对角线
多晶125*125
多晶156*156
晶体硅光电池
晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片，年产能力46MW/a。目前主要课题是继续扩大产业规模，开发带状硅光电池技术，提高材料利用率。国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％，空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间。以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅，可降低成本，但效率较低。优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷，磨图抛工艺，千方百计进一步降成本，提高效率，大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6%。
非晶硅光电池
a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。由于外解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜，易于大面积化（05rn×l.0m），成本较低，多采用p in结构。为提高效率和改善稳定性，有时还制成三层P in等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增长，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每月在1千万片左右，居薄膜电池首位。发展集成型a－Si光电池组件，激光切割的使用有效面积达90％以上，小面积转换效率提高到 14.6％，大面积大量生产的为8－10％，叠层结构的最高效率为21％。研发动向是改善薄膜特性，精确设计光电池结构和控制各层厚度，改善各层之间界面状态，以求得高效率和高稳定性。
多晶硅光电池
P－Si（多晶硅，包括微品）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响，是国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%。采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a—si：H材料膜进行后退火，达到低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构，是提高比a—S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以上，将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已达到17.7％），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原风是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩人开发规模，着手组建中试线及制造厂。
一片硅片能产生多少瓦电量
你好！
目前的156*156多晶硅片效率一般在17.4%，单片功率大概4.2瓦，也就是1000w/m2的光照下，发电功率是4,2w，可以通过照射时间计算出发电量。
打字不易，采纳哦！