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请教：太阳能硅片的重量和功率之间的转换关系！
以156*156,8寸多晶硅片核算：效率达到16%时候，硅片厚度为180，对应图上每瓦多晶硅耗用量为7g。
硅片厚度不变，重量不变的情况下：
156*156,8寸多晶硅片效率达到16%时候，单片功率为3.89W。
由此可推：硅片厚度为180，效率达到16%，单片多晶硅耗用量为3.89w*7g/w=27.23g.
硅片厚度为180，硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时单片功率为156*156*0.18/1000=4.38W
由此可推：硅片厚度为180，硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时，多晶硅片每瓦耗用多晶硅重量为27.23/4.38=6.2g
推算：
厚度180不变，重量不变的156单晶硅片，转换效率达到20%情况下，
单片功率为：156*156*0.2/1000=4.86W
单晶硅片的每瓦多晶硅耗用量为：27.23g/4.86W=5.6g/w
1kw光伏发电需要多少个标准硅片
目前流行的晶硅光伏发电组件中，一片组件250~280W,单个组件含60片单晶\多晶硅片
故1KW需要240片硅片。
单晶硅片标准尺寸：长*宽=125*125mm或长*宽=156*156mm；厚度180\200微米
多晶硅片标准尺寸：长*宽=156*156mm；厚度180\200微米
硅片的尺寸是多少？
一般单晶硅片的标准如下：
6″ 153mm≤Φ≤158 mm
6.2″ 159 mm≤Φ≤164 mm
6.5″ 168 mm≤Φ≤173 mm
8″ 203 mm≤Φ≤208 mm
另外因为单晶硅片四个角是弯曲的一个弧形所以又有这样的标准：
弦长（mm）就是弧度的长
6 寸 28.24~31.30
6.5寸 10.93~13.54
8 寸 20.46~23.18
直径(mm)就是对角的长
6 寸 150.0±0.5
6.5 寸 165.0±0.5
8 寸 200.0±0.5
硅片：
将某一特定晶向的Si seed(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融状态Si下,并慢慢向上拉起晶棒,一根和seed相同晶向的晶柱就被生产出来,晶柱的直径可以通过控制向上拉的速度等工艺变量来控制.将晶柱切割成很多的一小片,wafer就被制造出来了.晶柱两头无法切割成可用的wafer的部分可被称为头尾料.初步切割出来的wafer,表面通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来.针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P,B等,以改变其阻值,因而就有了低阻,高阻,重掺等名词.镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体device而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等. 在晶圆IC的生产过程中,需要一些wafer来测试生产设备的工艺状态,如particle水平,蚀刻率,缺陷率等,这些wafer通常叫做控片,控片也用来随正常生产批一起工艺以测试某一工艺的质量状况,如CVD膜厚等.生产设备在维护或维修后,立即工艺生产批的wafer,容易造成报废,因而通常要用一些非常低成本的wafer来运行工艺以确定维护或修理工作的质量,这类wafer通常叫做dummy wafer,当然有的时候dummy wafer也会用在正常生产过程中,如某些机台必须要求一定数量的wafer才能工艺,不足的就用dummy wafer补足,而有的机台必须在工艺一定数量的wafer后进行某一形式的dummy run,否则工艺质量无法保证等等诸如此类的很多wafer都可以叫做dummy. 挡片基本上可以视为dummy wafer的一种. dummy wafer,控片,挡片等通常都是可以回收利用的.
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防，甚至悄悄进入每一个家庭。
求各种硅片尺寸？
多晶的一般是156*156 对角线219.2 也有125*125的 单晶125*125 125的主栅线62.5 156的78
都是mm
一张硅片转换为多少瓦
一般的多晶硅片尺寸156mm*156mm*180μm，做成普通电池后，功率4.5瓦
一般的单晶硅片尺寸156mm*156mm*180μm，做成普通电池后，功率4.8瓦
一片硅片能产生多少瓦电量
一片硅片，156*156效率在17.4%，单片功率大概4.2瓦，就是1000w/m2的光照下，发电功率是4,2w，可以通过照射时间计算出发电量。
在STC的测试环境上给太阳电池片照射强度为1000瓦每平方米的光强。电池是0.125米*0.125米 效率是 17%-17.2% 那么每一片瓦数就是1000*0.125*0.125*17%= 2.64w；1000*0.125*0.125*17.2%= 2.68w。
扩展资料：
以156*156,8寸多晶硅片核算：效率达到16%时候,硅片厚度为180,对应图上每瓦多晶硅耗用量为7g。硅片厚度不变,重量不变的情况下：
156*156,8寸多晶硅片效率达到16%时候,单片功率为3.89W。
由此可推：硅片厚度为180,效率达到16%,单片多晶硅耗用量为3.89w*7g/w=27.23g。
硅片厚度为180,硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时单片功率为156*156*0.18/1000=4.38W。
由此可推：硅片厚度为180,硅片重量不变的情况下,多晶硅片转换率达到18%时,多晶硅片每瓦耗用多晶硅重量为27.23/4.38=6.2g
推算：
厚度180不变,重量不变的156单晶硅片,转换效率达到20%情况下,单片功率为：156*156*0.2/1000=4.86W，单晶硅片的每瓦多晶硅耗用量为：27.23g/4.86W=5.6g/w。
参考资料来源：百度百科 ——硅片