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硅片的尺寸是多少？
一般单晶硅片的标准如下：
6″ 153mm≤Φ≤158 mm
6.2″ 159 mm≤Φ≤164 mm
6.5″ 168 mm≤Φ≤173 mm
8″ 203 mm≤Φ≤208 mm
另外因为单晶硅片四个角是弯曲的一个弧形所以又有这样的标准：
弦长（mm）就是弧度的长
6 寸 28.24~31.30
6.5寸 10.93~13.54
8 寸 20.46~23.18
直径(mm)就是对角的长
6 寸 150.0±0.5
6.5 寸 165.0±0.5
8 寸 200.0±0.5
硅片：
将某一特定晶向的Si seed(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融状态Si下,并慢慢向上拉起晶棒,一根和seed相同晶向的晶柱就被生产出来,晶柱的直径可以通过控制向上拉的速度等工艺变量来控制.将晶柱切割成很多的一小片,wafer就被制造出来了.晶柱两头无法切割成可用的wafer的部分可被称为头尾料.初步切割出来的wafer,表面通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来.针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P,B等,以改变其阻值,因而就有了低阻,高阻,重掺等名词.镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体device而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等. 在晶圆IC的生产过程中,需要一些wafer来测试生产设备的工艺状态,如particle水平,蚀刻率,缺陷率等,这些wafer通常叫做控片,控片也用来随正常生产批一起工艺以测试某一工艺的质量状况,如CVD膜厚等.生产设备在维护或维修后,立即工艺生产批的wafer,容易造成报废,因而通常要用一些非常低成本的wafer来运行工艺以确定维护或修理工作的质量,这类wafer通常叫做dummy wafer,当然有的时候dummy wafer也会用在正常生产过程中,如某些机台必须要求一定数量的wafer才能工艺,不足的就用dummy wafer补足,而有的机台必须在工艺一定数量的wafer后进行某一形式的dummy run,否则工艺质量无法保证等等诸如此类的很多wafer都可以叫做dummy. 挡片基本上可以视为dummy wafer的一种. dummy wafer,控片,挡片等通常都是可以回收利用的.
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防，甚至悄悄进入每一个家庭。
soi材料的生长方法有哪些？每种方法是如何实现的
SOI材料的制备可以气相外延生长为基础,如蓝宝石上外延硅技术;也可以固相外延为基础,如区融再结晶技术(ZMR);还有的是利用特殊的处理方法把薄硅层从体硅中隔离出来,如多孔氧化硅全隔离技术(FIPOS)和注氧隔离技术(SIMOX);另外有一类方法是把氧化后的硅片键合到衬底上然后减薄,如硅片键合与背面腐蚀技术(BESOI)。最近几年,SOI材料制备技术渐趋成熟,材料质量更有较大的改善；
蓝宝石上外延硅技术(Silicon-on-Sapphire,SOS)：该方法是通过硅烷热分解在蓝宝石单晶抛光片上外延生长一层硅膜。利用类似的技术,还获得其它异质外延SOI材料,包括立方晶系氧化锆上生长硅、尖晶石上生长硅、外延氟化钙上生长硅、磷化硼上生长、氮化铝上长硅以及碳化硅上生长硅等。由于硅和蓝宝石的晶格失配和热失配长出的SOS膜中存在压应力,缺陷密度高,产生堆垛层错、微孪晶等,并存在蓝宝石中铝的外扩散自掺杂。随着固相外延和双固相外延等技术的引入,硅膜的质量得到大大改善。
外延横向覆盖生长(Epitaxial Layer Over-Growth,ELO)：这种方法是先在硅片上生长一层SiO2，并在上面刻出籽晶窗口,窗口边缘沿方向，然后硅片放入常压或减压外延室进行外延生长,生长时外延层从籽晶开始,朝方向横向扫过生成一层单晶硅膜。该方法的主要缺点是,横向生长速率和纵向生长速率之比接近于1,为了覆盖直径较小的衬底亦需生长一层厚厚的膜,之后还要减薄才能获得器件要求的薄的顶层硅膜。
注氧隔离技术(Separation by Im2 planted Oxygen,SIMOX)：该技术受到美国IBM公司的极力推崇,是迄今为止比较先进和最为成熟的SOI制备技术。美国的IBIS公司及日本的新制铁和小松等公司利用这项技术批量生产Advantox片。其工艺主要包括:（1）氧离子注入,在硅表层下产生一个高浓度的注氧层;(2)高温退火,注入的氧与硅反应,在高浓度注氧层附近形成隐埋二氧化硅层,并消除离子注入引入的损伤。注入期间衬底温度过低,顶部硅就会完全非晶化,退火后变成多晶硅;若衬底温度太高,顶部硅下界面处易形成大量的氧化物沉淀,最常用的温度在600～650℃。氧化物沉淀的生长是以Ostwald机理生长,小的氧化沉淀溶解而大的沉淀生长。在相对较低温度(如1150℃)退火,小的沉淀在顶部硅层析出,大的沉淀稳定在更深处。退火温度达到1300℃,能使注入氧发生分凝形成类矩形分布,沉淀完全溶解,形成完整的二氧化硅层。
硅片键合减薄法(Bonding and Etching Back Silicon,BESOI)：硅片键合减薄法的主要工艺过程是:(1)将两个硅抛光片(其中一个表面有热氧化层)贴合,在室温下通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起,然后键合的硅片在干氧气氛中热处理,键合变得很牢固;(2)减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚,这样就得到了所需的SOI材料。
熔化横向生长：先在硅衬底上形成一层SiO2膜,作为SOI结构中的绝缘层;然后在膜上淀积多晶或非晶硅,再通过激光束熔化、电子束熔化、区域熔融或光照熔融等手段使淀积的多晶或非晶硅发生局部熔融,移动熔区,熔区前沿的多晶或非晶硅不断熔化,后沿则发生再结晶。
智能剥离(SMART-CUT)技术：智能剥离技术的工艺过程主要包括以下4个步骤:(1)离子注入。室温下,以一定能量向硅片A注入一定量的H+,在硅表面层下产生一气泡层。(2)键合。将硅片A与另一硅片B进行严格的清洗处理后,在室温下键合。硅片A与B之间至少有一片的键合表面用热氧化法生长SiO2层,用以充当SOI结构中的隐埋绝缘层。B
片将成为SOI结构中的支撑片。(3)热处理。基本上分两步:第一步使键合后的硅片在注入H+的高浓度层位形成气泡层,并发生剥离,剥离掉的硅层留待后用,余下的硅层作为SOI结构中的顶部硅层;第二步高温热处理,提高键合界面的结合强度并消除SOI层中的注入损伤。(4)SOI片化学机械抛光,降低表面粗糙度。
外延层转移技术(Epitaxial Layer Transfer,ELTRAN): (1)硅片的阳极极化(2)外延和热氧化(3)键合(4)减薄（5）氢退火。
近年来,SOI材料的制备技术一直在改进。其发展趋势是进一步降低制造成本,提高材料的质量(减少缺陷、提高厚度均匀性等)。此外,CMOS器件的尺寸不断缩小,要求SOI材料顶部硅层的厚度越来越小。因此,薄膜化也是近来SOI材料制备的发展方向。目前,商业化批量生产SOI材料的制备技术主要有注氧隔离、键合与背腐蚀、智能剥离以及ELTRAN技术,但成本仍是制约各种技术广泛应用的首要因素。
硅片是做什么用的？
将某一特定晶向的Si seed(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融状态Si下,并慢慢向上拉起晶棒,一根和seed相同晶向的晶柱就被生产出来,晶柱的直径可以通过控制向上拉的速度等工艺变量来控制.将晶柱切割成很多的一小片,wafer就被制造出来了.晶柱两头无法切割成可用的wafer的部分可被称为头尾料.初步切割出来的wafer,表面通常比较粗糙,无法用作晶圆生产,因而通常都在后续工艺中进行抛光,抛光片的名词就由此而来.针对不同晶圆制造要求,通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质,如P,B等,以改变其阻值,因而就有了低阻,高阻,重掺等名词.镀膜片可以理解为外延片Epi,是针对特定要求的半导体device而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用,如绝缘体上Si(SOI)等. 在晶圆IC的生产过程中,需要一些wafer来测试生产设备的工艺状态,如particle水平,蚀刻率,缺陷率等,这些wafer通常叫做控片,控片也用来随正常生产批一起工艺以测试某一工艺的质量状况,如CVD膜厚等.生产设备在维护或维修后,立即工艺生产批的wafer,容易造成报废,因而通常要用一些非常低成本的wafer来运行工艺以确定维护或修理工作的质量,这类wafer通常叫做dummy wafer,当然有的时候dummy wafer也会用在正常生产过程中,如某些机台必须要求一定数量的wafer才能工艺,不足的就用dummy wafer补足,而有的机台必须在工艺一定数量的wafer后进行某一形式的dummy run,否则工艺质量无法保证等等诸如此类的很多wafer都可以叫做dummy. 挡片基本上可以视为dummy wafer的一种. dummy wafer,控片,挡片等通常都是可以回收利用的.
硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防，甚至悄悄进入每一个家庭。
麻烦大家介绍一下各品牌电视的优劣，谢谢
现在电视制作技术已经很成熟了，各品牌间的技术水平差别很小。而每个品牌都有不同档次的机型，同品牌不同档次之间的差距要大于品牌之间的差距。所以，选择电视首先是看档次，其次是看款式，再有就是功能。别太看重品牌。
SOI是什么?
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。
通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD（Fully Depleted）结构和厚膜部分耗尽PD（Partially Depleted）结构。由于SOI的介质隔离，制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响，在它们中间存在一中性体区，这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态，产生了两个明显的寄生效应，一个是"翘曲效应"即Kink 效应，另一个是器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。如果将这一中性区经过一体接触接地，则厚膜器件工作特性便和体硅器件特性几乎完全相同。而基于薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除"翘曲效应"，且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。
目前比较广泛使用且比较有发展前途的SOI的材料主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和将键合与注入相结合的Smart Cut SOI材料。在这三种材料中，SIMOX适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路，BESOI材料适合于制作部分耗尽集成电路，而Smart Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料，它很有可能成为今后SOI材料的主流。
SOI是什么？
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。
通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽FD（Fully Depleted）结构和厚膜部分耗尽PD（Partially Depleted）结构。由于SOI的介质隔离，制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响，在它们中间存在一中性体区，这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态，产生了两个明显的寄生效应，一个是"翘曲效应"即Kink 效应，另一个是器件源漏之间形成的基极开路NPN寄生晶体管效应。如果将这一中性区经过一体接触接地，则厚膜器件工作特性便和体硅器件特性几乎完全相同。而基于薄膜SOI结构的器件由于硅膜的全部耗尽完全消除"翘曲效应"，且这类器件具有低电场、高跨导、良好的短沟道特性和接近理想的亚阈值斜率等优点。因此薄膜全耗尽FDSOI应该是非常有前景的SOI结构。
目前比较广泛使用且比较有发展前途的SOI的材料主要有注氧隔离的SIMOX(Seperation by Implanted Oxygen)材料、硅片键合和反面腐蚀的BESOI(Bonding-Etchback SOI)材料和将键合与注入相结合的Smart Cut SOI材料。在这三种材料中，SIMOX适合于制作薄膜全耗尽超大规模集成电路，BESOI材料适合于制作部分耗尽集成电路，而Smart Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料，它很有可能成为今后SOI材料的主流。Smart Cut process
